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| 本文作者： 吳優(yōu) | 2020-07-02 19:39 |
美光科技在6月29日（本周一）公布了第三季度的財(cái)報(bào)，美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra指出：“展望2020下半年的市場(chǎng)趨勢(shì)，有三個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)。首先，希望數(shù)據(jù)中心的前景廣闊；第二，希望智能手機(jī)和消費(fèi)者終端設(shè)備的銷售情況繼續(xù)改善，從而加速整個(gè)供應(yīng)鏈中的庫(kù)存消耗；第三，希望新的游戲機(jī)推動(dòng)更多的DRAM和NAND需求。”
最新的數(shù)據(jù)顯示，美光科技在DRAM的出貨量和NAND ASP（平均售價(jià)）增長(zhǎng)方面超過(guò)了其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星和SK Hynix。五年前，我國(guó)清華紫光擬收購(gòu)美光科技以加強(qiáng)DRAM和NAND閃存實(shí)力，但最終并未成功，到目前為止，DRAM和NAND依然是我國(guó)缺少的關(guān)鍵半導(dǎo)體組件之一。
我國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的現(xiàn)狀如何？與美光科技等存儲(chǔ)芯片巨頭的差距還有多遠(yuǎn)呢？
國(guó)產(chǎn)芯片供需缺口較大
我國(guó)一直在努力減少對(duì)國(guó)外半導(dǎo)體制造公司的依賴，根據(jù)《中國(guó)大陸的半導(dǎo)體和設(shè)備市場(chǎng)：分析與制造趨勢(shì)》報(bào)告顯示， 2019年我國(guó)在集成電路上的進(jìn)口4451.3億塊集成電路，同比增長(zhǎng)6.6%，進(jìn)口額為3055.5億美元，同比下降2.1%。集成電路出口2187億塊，同比增長(zhǎng)0.7%，出口額為1015.8億美元，同比增長(zhǎng)20%。
目前，中國(guó)OEM廠商生產(chǎn)電子設(shè)備所需的半導(dǎo)體設(shè)備需求與中國(guó)內(nèi)部制造供應(yīng)之間在存在著較大的缺口，盡管中國(guó)自主制造的芯片數(shù)量逐年上漲，但需求量也逐年升高，預(yù)計(jì)到2022年供應(yīng)量達(dá)到4千億，需求量達(dá)到7.5億，供需差距3.5億片。
盡管在2019年受到貿(mào)易限制的影響，但中國(guó)的半導(dǎo)體進(jìn)口量增速不減，2020年新冠疫情下，中國(guó)半導(dǎo)體進(jìn)口量的增長(zhǎng)速度甚至更快。
在這樣的情況下，過(guò)去九個(gè)季度里中國(guó)的兩家制造存儲(chǔ)芯片公司，生產(chǎn)3D NAND的長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)（YMIC）和生產(chǎn)DRAM的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（CXMT）分別購(gòu)買了30億美元的生產(chǎn)設(shè)備。
國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片發(fā)展現(xiàn)狀
在中國(guó)的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上，許多公司都在加緊部署新的晶圓廠，無(wú)論是從資金上，還是技術(shù)上，都馬力十足。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的第一家晶圓廠已經(jīng)宣布了19nm技術(shù)的計(jì)劃，總產(chǎn)能12萬(wàn)片/月，產(chǎn)能從兩萬(wàn)片每月提升到三萬(wàn)片，推遲了一年多，于2019年底開(kāi)始生產(chǎn)。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)計(jì)劃在其Fab 1附近再增加兩個(gè)晶圓廠。
此外，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也定下了下一步目標(biāo)，預(yù)計(jì)在未來(lái)2-3年時(shí)間推進(jìn)LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，工藝升級(jí)到17nm以下。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)
長(zhǎng)江存儲(chǔ)在武漢的第一個(gè)工廠是一座單層建筑，每月產(chǎn)能為12萬(wàn)片晶圓。利用其全資子公司武漢新芯（XMC）現(xiàn)有的12英寸工廠，長(zhǎng)江存儲(chǔ)于2017年成功設(shè)計(jì)并制造了首款32層NAND閃存芯片。
2019年9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布64層 NAND閃存芯片已投入生產(chǎn)，基于Xtacking架構(gòu)的256Gb TLC 3D NAND閃存已投入量產(chǎn) 。
2020年4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布通過(guò)與多個(gè)控制器合作伙伴的合作，其128層1.33Tb QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070通過(guò)了SSD平臺(tái)上的示例驗(yàn)證。
據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的母公司清華紫光集團(tuán)計(jì)劃在武漢的第一家晶圓廠旁建造第二家晶圓廠，原定于2020底開(kāi)始，但目前進(jìn)度已經(jīng)加快了。盡管清華紫光集團(tuán)沒(méi)有透露該工廠的年產(chǎn)能以及投資金額，但該公司正在考慮在十年內(nèi)對(duì)其DRAM業(yè)務(wù)進(jìn)行總計(jì)8000億元人民幣的投資。
重慶清華紫光
清華紫光集團(tuán)于8月27日宣布，已與重慶市政府簽署協(xié)議，成立研發(fā)中心和DRAM晶圓廠。該晶圓廠預(yù)計(jì)于2022年完工，每月生產(chǎn)10萬(wàn)片晶圓。該晶圓廠最初計(jì)劃于去年開(kāi)始建設(shè)，但因?yàn)橘Q(mào)易限制以及新冠疫情而推遲了。
兆易創(chuàng)新
兆易創(chuàng)新于2020年4月宣布，計(jì)劃通過(guò)非公開(kāi)發(fā)行新股籌集43.2億元人民幣，為進(jìn)軍DRAM存儲(chǔ)市場(chǎng)提供資金。除了自己的DRAM計(jì)劃，兆易創(chuàng)新還將投資長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層NAND即將投入生產(chǎn)，僅落后美光兩個(gè)季度
2019年，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DRAM落后領(lǐng)先的DRAM制造商至少兩代，到2021年，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將落后美光、三星和SK Hynix三代。
2018年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層NAND落后世界領(lǐng)先的NAND制造商三代，但隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)路線圖的加速，在2020年宣布推出了128層NAND，計(jì)劃于2020年第四季度投入生產(chǎn)，這意味著長(zhǎng)江存儲(chǔ)的新NAND將僅僅落后美光和SK Hynix兩個(gè)季度，與Kioxia/Western Digital（WDC）112層NAND不相上下。
值得一提的是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的第二個(gè)NAND晶圓廠的建設(shè)計(jì)劃將提前。長(zhǎng)江存儲(chǔ)的NAND器件使用的是DUV浸沒(méi)式光刻技術(shù)制造，即便是沒(méi)有ASML的EUV，也能夠生產(chǎn)3D NAND芯片。
因此，我們?cè)谧汾s美光的過(guò)程中，并沒(méi)有太多設(shè)備上的障礙，這場(chǎng)存儲(chǔ)芯片追擊戰(zhàn)，有信心取得勝利。
雷鋒網(wǎng)小結(jié)
我國(guó)本土的存儲(chǔ)芯片制造企業(yè)雖然數(shù)量少、規(guī)模小、產(chǎn)品技術(shù)也較領(lǐng)先企業(yè)落后一些，但長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的發(fā)展勢(shì)頭迅猛，陸續(xù)修建新的晶圓廠，開(kāi)發(fā)出新的產(chǎn)品，這讓我們有理由相信，中國(guó)的DRAM和NAND存儲(chǔ)芯片終有一日能夠突出重圍，同美光科技等存儲(chǔ)芯片公司展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。
2020年8月7日至8月9日，2020年全球人工智能與機(jī)器人大會(huì)（CCF-GAIR 2020）將在深圳隆重舉行，今年的主題是AI新基建產(chǎn)業(yè)新機(jī)遇，設(shè)置了針對(duì)新基建學(xué)術(shù)的AI前沿專場(chǎng)、機(jī)器人前沿專場(chǎng)、聯(lián)邦學(xué)習(xí)專場(chǎng)3大專場(chǎng)，針對(duì)新基建產(chǎn)業(yè)的AI芯片專場(chǎng)、智能駕駛專場(chǎng)、AIoT專場(chǎng)等的11大專場(chǎng)。AI芯片專場(chǎng)的學(xué)術(shù)大咖和重要企業(yè)技術(shù)VP將共同探討如何用創(chuàng)新的指令集、架構(gòu)以及商業(yè)模式抓住新基建給AI芯片帶來(lái)的絕佳機(jī)遇。
詳細(xì)信息請(qǐng)查看官網(wǎng)。
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